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ADP点状籽晶(100)面的生长
引用本文:喻江涛,李明伟,曹亚超,程旻,石航.ADP点状籽晶(100)面的生长[J].重庆大学学报(自然科学版),2009,32(8):876-881.
作者姓名:喻江涛  李明伟  曹亚超  程旻  石航
作者单位:重庆大学动力工程学院;
基金项目:国家自然科学基金资助项目(50676113);;教育部新世纪优秀人才支持计划资助项目(NCET-05-0761)
摘    要:ADP晶体点状籽晶生长实验结果表明:生长温度处于20~40℃,相变驱动力介于0.005KT/ωs~0.03KT/ωs之间时,籽晶(100)晶面的生长速率随过饱和度的增加而线性增加;在相变驱动力一定时,晶面生长速率随温度的升高而呈指数增加;晶面的生长动力学规律与体扩散输运机制下的螺位错生长机制相符;相变驱动力低于临界驱动力时,晶体生长存在着热力学因素造成的死区。相变驱动力介于相变驱动力介于0.05KT/ωs~0.11KT/ωs之间时,(100)晶面的生长速率随过饱和度的增加而呈非线性增加,晶面生长趋近于多二维核生长,但同时也有其它生长机制并存。

关 键 词:ADP晶体  相变驱动力  点状籽晶  生长速率  生长机制  

Growth of ADP point seed crystal (100) surface
YU Jiang tao,LI Ming wei,CAO Ya chao,CHENG Min and SHI Hang.Growth of ADP point seed crystal (100) surface[J].Journal of Chongqing University(Natural Science Edition),2009,32(8):876-881.
Authors:YU Jiang tao  LI Ming wei  CAO Ya chao  CHENG Min and SHI Hang
Institution:College of Power Engineering;Chongqing University;Chongqing 400030;P.R.China
Abstract:
Keywords:ADP crystal  phase transition drive force  point seed crystal  growth rate  growth mechanism  
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