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| Er注入Si的芦瑟夫背散射和发光研究 | |
| 引用本文： | 李仪,李菊生.Er注入Si的芦瑟夫背散射和发光研究[J].中国稀土学报,1994,12(3):222-224. |
| 作者姓名： | 李仪 李菊生 |
| 作者单位： | 中国科学院长春物理研究所，山东大学物理系 |
| 摘 要： | 用芦瑟夫背散射和光致发光研究了Ｅｒ注入Ｓｉ的退火性能。ＲＢＳ分析表明，退火时，损伤层再结晶的同时伴随着Ｅｒ向表面迁移。退火后，Ｅｒ浓度峰的深度与表面剩余损伤层的深度是一致的。Ｅｒ在Ｓｉ中主要占据非替位。大量间隙Ｅｒ的存在延缓了损伤层的再结晶。在７７Ｋ观察到了与Ｅｒ有关的位于１．５４６μｍ的ＰＬ。 |
| 关 键 词： | 发光 铒 硅 离子注入 卢瑟福背散射 |
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