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| 利用喷气式Z箍缩等离子体装置进行X射线光刻 | |
| 引用本文： | 郭小明,张贵新,罗承沐,周兆英.利用喷气式Z箍缩等离子体装置进行X射线光刻[J].核聚变与等离子体物理,1998(1). |
| 作者姓名： | 郭小明 张贵新 罗承沐 周兆英 |
| 作者单位： | 清华大学电机工程系 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金委员会 |
| 摘 要： | 喷气式Ｚ箍缩等离子体装置可以产生较强的软Ｘ射线，能量大约在２—６ｋｅＶ之间。利用此装置产生的软Ｘ射线，用ＣＳＭ作光刻胶，进行了Ｘ射线光刻的初步研究，得到了较为清晰的光刻图形，曝光深度估计在１０μｍ左右 |
| 关 键 词： | Z箍缩等离子体 等离子体X射线源 X射线光刻 |
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