| 一种基于0.13 μm SiGe BiCMOS工艺的Ka波段宽带有源移相器 |
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| 引用本文： | 袁刚,郭宽田,周小川,叶力群,范超,田泽,耿莉,桂小琰.一种基于0.13 μm SiGe BiCMOS工艺的Ka波段宽带有源移相器[J].微电子学,2020,50(5):615-620. |
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| 作者姓名： | 袁刚 郭宽田 周小川 叶力群 范超 田泽 耿莉 桂小琰 |
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| 作者单位： | 西安交通大学 微电子学院,西安 710049;广东顺德西安交通大学研究院,广东 佛山 528000;成都振芯科技股份有限公司,成都 610000;航空工业西安航空计算技术研究所,西安 710049;集成电路与微系统设计航空科技重点实验室, 西安 710049 |
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| 基金项目： | 广东省基础与应用基础研究基金资助项目(2020A1515010001)；航空科学基金资助项目(20184370006) |
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| 摘 要： | 采用0.13 μm SiGe BiCMOS工艺,设计了一种工作在32~38 GHz的Ka波段有源移相器,采用矢量合成的方法实现移相功能。该移相器电路包括输入无源巴伦、多相滤波网络、矢量合成单元、射随器和输出有源巴伦。后仿结果表明,输入输出反射系数均小于-9.5 dB,反向隔离度小于-80 dB,插入损耗优于-6.5 dB。在-55 ℃~125 ℃宽温范围内相对相移最大误差小于2.2°,全频带RMS移相误差小于1.5°,RMS增益误差小于0.35 dB。总功耗为18.2 mW,芯片核心面积为0.21 mm2。
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| 关 键 词： | 有源移相器 矢量合成 多相滤波网络 BiCMOS工艺 宽温 |
| 收稿时间： | 2020/4/24 0:00:00 |
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