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| 迎接亚100nm的挑战 | |
| 引用本文： | 本刊编辑部.迎接亚100nm的挑战[J].电子工业专用设备,2003,32(5):1-3,83. |
| 作者姓名： | 本刊编辑部 |
| 作者单位： | |
| 摘 要： | 目前,90nm器件已进入小批量生产阶段,但是仍有大量障碍有待克服。在前道工艺中,图形关键层必须用193nm光刻技术制作,这种光刻技术目前还不完全成熟。在后道工艺中,成品率受第二代低k介质材料与铜集成的影响。可以预见,90nm工艺中所遇到的问题在今后的65nm技术节点将会更为加剧。得益于制造工艺惊人的技术拓展能力,现半导体业界正在排列90nm器件到65nm技术节点所能预计到的障碍。高k绝缘膜和金属电极的栅迭层在65nm技术节点之前将无法完成,既使完成,也只是应变硅和绝缘体上硅性能的改进。其次便是除ALD阻挡层和晶粒之外的双大马士革互联问… |
| 关 键 词： | 光刻技术 光学邻近效应校正 半导体 分辨力增强技 掩模制造 晶体管 介电率 离子注入 |
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