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| 液相沉积法制备的二氧化硅薄膜及其钝化性能 | |
| 引用本文： | 刘邦武,钟思华,何静,夏洋,李超波.液相沉积法制备的二氧化硅薄膜及其钝化性能[J].发光学报,2012,33(11):1264-1267. |
| 作者姓名： | 刘邦武 钟思华 何静 夏洋 李超波 |
| 作者单位： | 刘邦武:中国科学院微电子研究所 中国科学院微电子器件与集成技术重点实验室, 北京 100029 钟思华:中国科学院微电子研究所 中国科学院微电子器件与集成技术重点实验室, 北京 100029 何静:中国科学院微电子研究所 中国科学院微电子器件与集成技术重点实验室, 北京 100029 夏洋:中国科学院微电子研究所 中国科学院微电子器件与集成技术重点实验室, 北京 100029 李超波:中国科学院微电子研究所 中国科学院微电子器件与集成技术重点实验室, 北京 100029 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金(61106060); 中国科学院知识创新工程重大项目(Y2YF028001); 国家高技术研究发展计划(2012AA052401)资助项目 |
| 摘 要： | 采用液相沉积法在硅基底上成功制备了二氧化硅薄膜,利用扫描电子显微镜、光电子能谱和少子寿命测试仪等对二氧化硅薄膜的组织结构和钝化性能进行了研究,结果表明,液相生长的二氧化硅薄膜致密平整,含有少量的F元素;对硅具有较好的减反和钝化作用,平均反射率由28.87%降低至10.88%,表面复合速度由6 923 cm/s降低至2 830 cm/s。 |
| 关 键 词： | 液相沉积 二氧化硅薄膜 钝化 |
| 收稿时间： | 2012/7/12 |
SiO2 Film Synthesized by Liquid Phase Deposition and Its Passivation Performance |
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| LIU Bang-wu,ZHONG Si-hua,HE Jing,XIA Yang,LI Chao-bo.SiO2 Film Synthesized by Liquid Phase Deposition and Its Passivation Performance[J].Chinese Journal of Luminescence,2012,33(11):1264-1267. | |
| Authors: | LIU Bang-wu ZHONG Si-hua HE Jing XIA Yang LI Chao-bo |
| Institution: | (Key Laboratory of Microelectronics Devices & Integrated Technology,Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences,Beijing 100029,China) |
| Abstract: | The SiO2 film has been successfully synthesized by liquid phase deposition (LPD) method. The microstructure and passivation performance of the SiO2 film have been investigated by scanning electron microscopy (SEM), X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) and microwave photoconductive decay (μ-PCD). The results show that the deposited SiO2 film contains a little amount of F element and it is very smooth and dense. The reflectance and surface recombination velocity reduced to 10.88% and 2 830 cm/s, respectively. |
| Keywords: | liquid phase deposition SiO2 film passivation |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |