| 硅基稀土热扩散法初探 |
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| 引用本文： | 陈炳若,胡培植,季韦平.硅基稀土热扩散法初探[J].武汉大学学报(理学版),1999(5). |
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| 作者姓名： | 陈炳若 胡培植 季韦平 |
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| 作者单位： | 武汉大学物理学系!武汉430072(陈炳若，季韦平)，武汉大学化学系!武汉430072(胡培植) |
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| 摘 要： | 稀土元素在我国有丰富的贮量．近年来，稀土元素在各种新科技领域中得到不断的开发和利用．各类稀土功能材料在发光和光通信领域中正展现巨大的应用潜力［１］．稀土磁光薄膜材料是优良的记录介质；稀土Ｅｒ由于其特殊的电子结构，已用来制造掺铒光纤激光器和光纤放大器［２］；掺铒硅还可制造发光谱线单一的发光器件［３］，这为实现人们所期待的硅基光电集成提供了有益途径．此外，基于对掺铒硅荧光发射衰减时间的分析，可用于制造温度传感器［４］．因此，稀土在共价半导体材料如Ｓｉ、ＧａＡｓ中的行为研究日益受到重视．但这些工作主要…
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| 关 键 词： | 稀土元素掺杂 热扩散 整流接触 光电流 |
Investigation of Rare Earth Thermal Diffusion on Si Substrate |
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| CHEN Bing\|ruo ,HU Pei\|zhi ,JI Wei\|ping.Investigation of Rare Earth Thermal Diffusion on Si Substrate[J].JOurnal of Wuhan University:Natural Science Edition,1999(5). |
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| Authors: | CHEN Bing\|ruo HU Pei\|zhi JI Wei\|ping |
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| Institution: | CHEN Bing\|ruo 1,HU Pei\|zhi 2,JI Wei\|ping 1 |
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| Abstract: | The rare earth element Gd is doped into N Si substrate using thermal diffusion process. The rectifying contact with junction function is formed and reverse breakdown voltage is higher partly than 160v. The photocurrent can be observed in part of PN junction . |
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| Keywords: | rare earth dope thermal diffusion rectifying contact photocurrent |
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