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| p—Si上电沉积Ni—W合金薄膜 | |
| 引用本文： | 郭永 龚正烈. p—Si上电沉积Ni—W合金薄膜[J]. 应用化学, 1996, 13(2): 11-14 |
| 作者姓名： | 郭永 龚正烈 |
| 摘 要： | 利用恒电流沉积法，在ｐ－Ｓｉ上制备出不同Ｗ含量和不同结构的Ｎｉ－Ｗ薄膜，研究了镀液温度，ｐＨ值，电流密度对镀层组成的影响，结果表明，提高温度有利于获得高Ｗ含量的合金。 |
| 关 键 词： | 电沉积 合金薄膜 镍 钨 非晶态 |
| 收稿时间： | 1995-06-24 |
The Electrodeposition of Nickel-Tungsten Films on p-type silicon |
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| Guo Yong,Zhang Guoqing,Yao Suwei,Guo Hetong,Gong Zhenglie. The Electrodeposition of Nickel-Tungsten Films on p-type silicon[J]. Chinese Journal of Applied Chemistry, 1996, 13(2): 11-14 | |
| Authors: | Guo Yong Zhang Guoqing Yao Suwei Guo Hetong Gong Zhenglie |
| Abstract: | |
| Keywords: | p-type silicon nickel-tungsten alloy electrodeposition amorphous state |
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