| GaAs上反应溅射WN_x薄膜特性研究 |
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| 引用本文： | 毛大立,史常忻.GaAs上反应溅射WN_x薄膜特性研究[J].固体电子学研究与进展,1991,11(2):95-99. |
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| 作者姓名： | 毛大立 史常忻 |
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| 作者单位： | 上海交通大学材料科学系 200030
(毛大立，俞伟丽，林栋梁)，上海交通大学微电子研究所 200030(史常忻) |
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| 摘 要： | 本文用反应溅射方法,制备了WN_x薄膜,用X光衍射、俄歇能谱深度成分分析、表面电阻测量及电流—电压曲线,测量、研究了WN_x薄膜的性能及与GaAs的肖特基势垒特性.
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| 关 键 词： | GaAS WN薄膜 溅射 工艺 |
Study of Characterization of Reactive RF Sputtering WN_x Thin Film on GaAs |
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| Abstract: | In this paper, WNx thin film was formed by reactive RF sputtering. The characterization of WNx thin film and Schottky Barrier contacts to GaAs were studied by using XRD, AES, electric resistivity and I-V mpasurements. |
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