| 等离子体增强化学气相沉积(PECVD)SnO_2薄膜及其性质研究 |
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| 引用本文： | 吕德安,戴国瑞,邵丽梅,张晓燕.等离子体增强化学气相沉积(PECVD)SnO_2薄膜及其性质研究[J].吉林大学学报(理学版),1988(1). |
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| 作者姓名： | 吕德安 戴国瑞 邵丽梅 张晓燕 |
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| 作者单位： | 吉林大学电子科学系，吉林大学电子科学系，吉林大学电子科学系，吉林大学电子科学系 1985年吉林大学电子科学系毕业生，1985年吉林大学电子科学系毕业生 |
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| 摘 要： | 本文采用PECVD技术,在SnCl_4和氧等离子体气氛中,于250℃衬底温度,在有SiO_2表面层的硅单晶衬底片上沉积了SnO_2,薄膜。并对该膜的化学组成、表面形貌及其它性质做了研究。
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| 关 键 词： | 等离子体 沉积 薄膜 |
A Study on Properties of the SnO_2 Films by PECVD Method |
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| Lu Dean. Dai Guorui,Shao Limei and Zhang Xiaoyan.A Study on Properties of the SnO_2 Films by PECVD Method[J].Journal of Jilin University: Sci Ed,1988(1). |
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| Authors: | Lu Dean Dai Guorui Shao Limei and Zhang Xiaoyan |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | plasma deposition film |
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