| 饱和、不饱和(N-杂环化)低聚硅烷的结构和光谱性质 |
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| 引用本文： | 王桂荣,解菊,董玉慧,薛运生.饱和、不饱和(N-杂环化)低聚硅烷的结构和光谱性质[J].分子科学学报,2014(2):94-101. |
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| 作者姓名： | 王桂荣 解菊 董玉慧 薛运生 |
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| 作者单位： | 徐州医学院药学院;扬州大学化学化工学院;潍坊科技学院; |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(21103147,81202490) |
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| 摘 要： | 用密度泛函理论(DFT)和含时密度泛函理论(TD-DFT)对线型(饱和N-杂环化)和(苯并N-杂环化)低聚硅烷的电子结构和吸收光谱性质以及溶剂效应进行了比较研究.对各体系的基态电子结构在B3LYP/6-31G(d,p)水平上进行了全优化,讨论了电荷分布和前线分子轨道性质.在获得基态稳定构型的基础上,用B3LYP/6-311+G(d)方法计算了电子吸收光谱的性质,探讨了主链的线型增长和溶剂对电子吸收光谱的影响.结果表明,随着主链的增长,低聚硅烷的电子结构发生明显扭曲,在(苯并N-杂环化)聚硅烷中形成了邻近苯并N-杂环之间π-π堆积作用,有利于结构的稳定.两类低聚硅烷的吸收光谱都随着主链的增长而发生明显的红移,(苯并N-杂环化)聚硅烷最大吸收光谱红移幅度要比(饱和N-杂环化)聚硅烷大得多.溶剂效应使得光谱略向短波长移动,溶剂的极性改变对吸收波长的影响不明显.
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| 关 键 词： | 低聚硅烷 电子结构 吸收光谱 密度泛函理论 溶剂效应 |
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