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国产炉粒制φ78—85mm无位错区熔硅单晶中“毛刺”产生的机理及消除方法

引用本文：	黄立新.国产炉粒制φ78—85mm无位错区熔硅单晶中“毛刺”产生的机理及消除方法[J].半导体技术,1993(4):50-53.

作者姓名：	黄立新

摘要：
关键词：	单晶炉单晶控制毛刺硅
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