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半导体材料中任意深度的杂质分布

引用本文：	张荣桂.半导体材料中任意深度的杂质分布[J].微纳电子技术,1976(Z2).

作者姓名：	张荣桂

摘要：	由英邮电部研究分部(PORD)研制的电化学技术可连续自动地描绘出半导体材料中载流子浓度的分布,而深度不受限制。为了进行这些测量由 PORD 设计的设备(控制单元,电化学池和光源)观已有产品并出售。
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