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| SOS膜的铝自掺杂剖面 | |
| 引用本文： | 陈庆贵,蔡希介,史日华,王其闵,陆东元.SOS膜的铝自掺杂剖面[J].半导体学报,1984,5(6):666-670. |
| 作者姓名： | 陈庆贵 蔡希介 史日华 王其闵 陆东元 |
| 作者单位： | 中国科学院上海冶金研究所 (陈庆贵，蔡希介，史日华，王其闵)，上海计量局(陆东元) |
| 摘 要： | 用SIMS技术对表面覆盖金的SOS片进行了铝自掺杂剖面研究.结果表明,不同工艺对SOS膜的铝自掺杂剖面曲线影响很大.背面封闭的SOS片的铝自掺杂剖面曲线十分陡削,过渡层厚度为450-750A;背面不封闭的SOS片的铝自掺杂剖面曲线不陡削,过渡层厚度为1200-1800A.同时,在过渡层以外背面不封闭的 SOS片中的铝杂质含量比背面封闭的 SOS片高很多.讨论了自掺杂形成的原因并对上述实验结果提出了解释. |
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