| 比较2种溅射方法镀制的氧化硅薄膜 |
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| 引用本文： | 朱昌,米高园,达斯坦科,格拉索夫,扎瓦斯基. 比较2种溅射方法镀制的氧化硅薄膜[J]. 应用光学, 2010, 31(5) |
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| 作者姓名： | 朱昌 米高园 达斯坦科 格拉索夫 扎瓦斯基 |
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| 作者单位： | 1. 西安工业大学,陕西,西安,710032
2. 白俄罗斯国立信息与无线电大学,白俄罗斯,明斯科,220013 |
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| 摘 要： | 比较了磁控反应溅射(RMS)法与离子束反应溅射(RIBS)法沉积得到的氧化硅薄膜的光学特性,并确定了其对折射率n、消光系数k、沉积速率和混合工作气体Ar/O2中氧含量的依赖性关系。工作气体中O2含量大于15%时通过RMS法沉积的氧化硅薄膜在0.63μm波长折射率约为1.52~1.55,消光系数低于10-5。当O2含量在80%以上时RIBS方法沉积氧化硅薄膜的折射率n=1.52~1.6,消光系数低于10-5。用RMS沉积SiO2薄膜,当氧气量超过15%时发生反应模式,此时沉积速率下降近5倍。而用RIBS时,沉积速率并不依赖氧气在混合工作气体中的含量。
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| 关 键 词： | 磁控反应溅射 离子束反应溅射 折射率 消光系数 |
Comparison of reactive magnetron and reactive ion-beam sputtering for deposition of silicon oxide thin film |
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| ZHU Chang,MI Gao-yuan,DOSTANKO A P,GOLOSOV D A,ZAVATSKIY S M. Comparison of reactive magnetron and reactive ion-beam sputtering for deposition of silicon oxide thin film[J]. Journal of Applied Optics, 2010, 31(5) |
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| Authors: | ZHU Chang MI Gao-yuan DOSTANKO A P GOLOSOV D A ZAVATSKIY S M |
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