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Li掺杂对ZnO陶瓷结构与电学性能的影响
引用本文:熊洁,官文杰,高相东,李效民,赵兴中.Li掺杂对ZnO陶瓷结构与电学性能的影响[J].武汉大学学报(理学版),2003,49(3):357-360.
作者姓名:熊洁  官文杰  高相东  李效民  赵兴中
作者单位:1. 武汉大学,物理科学与技术学院,湖北,武汉,430072
2. 中国科学院,上海硅酸盐研究所/高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室,上海,200050
基金项目:跨世纪人才基金资助项目 ( 2 0 2 15 90 1)
摘    要:研究了用传统方法在1200~1400℃烧结的ZnO陶瓷,以及用放电等离子体烧结(SPS)方法烧结的ZnO陶瓷的结构特征与电学性能。以ZnO为基添加了不同浓度的LiOH,制备了不同Li掺杂浓度的ZnO陶瓷。研究了掺杂、烧结温度,以及烧结方法等因素对ZnO基陶瓷的微观结构、电学性能的影响。实验表明,用传统方法烧结时,ZnO在烧结温度低于1400℃的情况下难以成瓷,而放电等离子体烧结(SPS)方法可以显著降低烧结温度。ZnO陶瓷的晶粒大小。密度随着烧结温度的增大而增大。在同样的烧结温度下,LiOH含量越大,ZnO基陶瓷的电阻率越大。

关 键 词:ZnO陶瓷  结构特征  电学性能  放电等离子体烧结方法  微观结构  电阻率  Li  掺杂  半导体  禁带宽度
文章编号:1671-8836(2003)03-0357-04
修稿时间:2002年12月18

Study of Structure and Conductive Characteristics in ZnO Ceramic
XIONG Jie,GUAN Wen-jie,GAO Xiang-dong,LI Xiao-min,ZHAO Xing-zhong.Study of Structure and Conductive Characteristics in ZnO Ceramic[J].JOurnal of Wuhan University:Natural Science Edition,2003,49(3):357-360.
Authors:XIONG Jie  GUAN Wen-jie  GAO Xiang-dong  LI Xiao-min  ZHAO Xing-zhong
Institution:XIONG Jie1,GUAN Wen-jie1,GAO Xiang-dong2,LI Xiao-min2,ZHAO Xing-zhong1
Abstract:
Keywords:ZnO ceramic  electrical properties  microstructure  spark plasma sintering
本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录!
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