质子辐照空间级硅橡胶的正电子淹没寿命谱研究 |
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引用本文: | 张丽新, 杨世勤, 何士禹. 质子辐照空间级硅橡胶的正电子淹没寿命谱研究[J]. 强激光与粒子束, 2002, 14(04). |
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作者姓名: | 张丽新 杨世勤 何士禹 |
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作者单位: | 1.哈尔滨工业大学 空间材料与环境工程实验室, 黑龙江 哈尔滨 1 50001 |
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摘 要: | 用正电子淹没寿命谱方法(PALS)研究了质子辐照对空间级硅橡胶KH-L-Y微观结构的影响。试验结果表明,PALS谱所揭示的最长寿命成分的t3, I3及自由体积分数Vf随辐照剂量的增加开始明显下降;而当辐照剂量大于1015cm-2后,随剂量的增加平缓上升。辐照剂量小于1015cm-2时,质子辐照使硅橡胶自由体积减小,分子链间堆砌紧密;辐照剂量大于1015cm-2时,质子辐照使硅橡胶自由体积增大。交联密度及DMA测试结果同样表明,质子辐照在剂量较小时硅橡胶的交联密度及玻璃化转变温度增加,辐照以交联效应为主;而剂量较大时辐照降解占优势。
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关 键 词: | 正电子淹没寿命谱 自由体积 硅橡胶 质子辐照 |
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