| 突破间接带局限 创新Si基激光器 |
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| 引用本文： | 王启明. 突破间接带局限 创新Si基激光器[J]. 物理, 2004, 33(05). |
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| 作者姓名： | 王启明 |
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| 作者单位： | 1.中国科学院半导体研究所 国家集成光电子学联合重点实验室,北京100083 |
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| 摘 要： | Si基高效发光与受激光发射是Si基光子学突破性发展的关键课题，它的实现对Si基微电子学的发展有深远的重大意义.由于受到天然Si材料间接带能带结构的限制，Si材料的发光效率极低，更谈不上可实现受激光发射，人工改性就成为当代研究、开拓的主要途径.新的Si基直接带体材料（如β-FeSi2等）的探索，Ge/Si量子阱、超晶格、量子点的能带工程介观改性，子带发光跃迁的探索，异类元素插入短周期超晶格中的化学键改性，以及SiO2高浓度nc-Si的生成和高激活度稀土离子的掺入发光等已开展了多途径的研究，不同程度上取得了重要的进展，一种MIS结构电子隧道注入高效发光器件已在SiO2:RE MOS结构中实现.运用激光器件物理的深入设计和新的器件技术的引入，可以预计本世纪初叶，对实现Si基激光器的奢望将会成为现实，无疑它对Si基光子学、Si基集成光电子学乃至信息高科技的发展将作出历史性的巨大贡献.
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| 关 键 词： | Si基材料 纳米技术 能带工程 稀土离子 激光器件 |
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