| SiH4在Si(001)-(2×1)表面吸附的第一性原理研究 |
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| 引用本文： | 文黎巍,周俊敏,苗挂帅,贾瑜,杨仕娥.SiH4在Si(001)-(2×1)表面吸附的第一性原理研究[J].人工晶体学报,2010,39(2):516-519. |
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| 作者姓名： | 文黎巍 周俊敏 苗挂帅 贾瑜 杨仕娥 |
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| 作者单位： | 周口师范学院物理与电子工程系,周口,466000;郑州大学物理工程学院,郑州,450052 |
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| 基金项目： | 周口师范学院大学生科研创新基金 |
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| 摘 要： | 用第一性原理密度泛函理论研究SiH4在Si(001)-(2×1)表面的分裂吸附及吸附后的结构、能量和成键特性,计算了反应物、过渡态及生成物三个状态的能量,吸附能和反应能.计算结果表明:SiH4在Si(001)-(2×1)重构表面吸附的可能反应路径是由于SiH4中Si-H键的拉长和二聚体键的断裂导致的,形成产物Si(001)-(2×1)(SiH3:H);由SiH4分裂的能量势垒0.78 eV说明所推测的反应路径是合理的.
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| 关 键 词： | 第一性原理 吸附能 结构参数 反应机制 |
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