Mass transfer with chemical reaction in a laminar falling film |
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Authors: | Dr P Ray Mr S K Bayen Dr B K Dutta Dr A S Gupta |
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Institution: | (1) Department of Chemical Engineering, Calcutta University, 92, Acharya P. C. Road, Calcutta-9, India;(2) IFB Agro Industries Limited, 33 N, Block B, 700058 New Alipore, Calcutta, India;(3) Mathematics Department, Indian Institute of Technology, Kharagpur, India |
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Abstract: | Zusammenfassung Es wird eine analytische Lösung für die Absorption in einem laminaren Rieselfilm mit homogener und heterogener chemischer Reaktion 1. Ordnung vorgestellt, wobei der Stofftransportwiderstand auf der Gasseite liegt. Die Lösung ist eine Funktion von drei dimensionslosen ParameternBi, und , welche die BiotZahl und einen homogenen bzw. heterogenen Reaktionsparameter darstellen. Es wird gezeigt, daß für feste Werte vonBi und die Absorptionsrate (bezogen auf die Breite 1 des Rieselfilms) über eine gewisse Länge (dimensionslos) des Rieselfilms unabhängig von ist, wenn , < 0,6 ist. Die laufende Länge wird von der Stelle aus gemessen, an der die Absorption beginnt. Für b 0,6 nimmt der FlußQ mit zu, erreicht aber einen Sättigungswert bei =10, wonachQ nurmehr sehr langsam anwächst. Jedoch für ein gegebenes und ohne Übergangswiderstand im Film (Bi ) nimmtQ mit für alle 0 zu.
Mass transfer with chemical reaction in a laminar falling film An analytical solution is presented for gas absorption in a laminar falling film with first-order homogeneous and heterogeneous chemical reaction and external gas-phase mass transfer resistance. The solution depends on three dimensionless parametersBi, and , wich represent the Biot number, homogeneous and heterogeneous reaction parameters, respectively. It is shown that for fixed values ofBi and , the rate of gas absorption (per unit breadth) over a certain length ; (dimensionless) along the falling film measured from the point where surface absorption begins is independent of if < 0.6. For 0.6, this fluxQ increases with but reaches a saturation value at =10 beyond whichQ increases very slowly. But for given and zero gas film resistance (Bi ),Q increases with for all 0. |
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