| ZnO:Al薄膜中本征缺陷对光电效应的影响 |
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| 引用本文： | 段理,林碧霞,朱俊杰,汪进,张国非,傅竹西.ZnO:Al薄膜中本征缺陷对光电效应的影响[J].发光学报,2004,25(3):309-312. |
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| 作者姓名： | 段理 林碧霞 朱俊杰 汪进 张国非 傅竹西 |
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| 作者单位： | 中国科学院结构分析重点实验室;中国科学院结构分析重点实验室;中国科学技术大学,物理系,安徽,合肥,230026 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金，国家自然科学基金，10174072,5014206，90201038，， |
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| 摘 要： | 在直流溅射法制备ZnO薄膜的过程中，通过合适选取溅射时氧氩的压力比，可以显著提高所得n-ZnO／p-Si异质结的光生短路电流，并且对该异质结的光生开路电压没有明显影响，从而可以用这种方法明显提高其光电转化能力。即使是在已经进行了n型掺杂的ZnO薄膜(这里为ZnO：Al)中，改变溅射时氧氩比对光电效应的影响也很明显。通过实验，已经证实了产生这种现象的原因是溅射时氧氩比的改变导致了ZnO薄膜内部的本征缺陷浓度的改变，使得载流子浓度变化而导致的结果。在氧氩压力比约为1：3时，光电转化效率最高。
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| 关 键 词： | 氧化锌薄膜 异质结 本征缺陷 光电效应 |
| 文章编号： | 1000-7032(2004)03-0309-04 |
| 修稿时间： | 2003年3月19日 |
Effect of the Intrinsic Defects in ZnO:Al Films on Photoemission |
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