| HVPE外延GaN膜中黄带的光致发光激发谱研究 |
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| 引用本文： | 卢佃清,侯玉娟,陆金男,刘学东,张荣.HVPE外延GaN膜中黄带的光致发光激发谱研究[J].物理实验,2004,24(6):19-22. |
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| 作者姓名： | 卢佃清 侯玉娟 陆金男 刘学东 张荣 |
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| 作者单位： | 1. 淮海工学院,数理科学系,江苏,连云港,222005
2. 南京大学,物理系,江苏,南京,210093 |
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| 摘 要： | 测量了氢化物气相外延方法生长的非特意掺杂和掺碳GaN外延膜的光致发光谱，并在光致发光谱峰位2．25eV(550nm)附近分别测量了光致发光激发谱，对两者进行了比较．从光致发光谱中发现掺碳使黄带明显增强，从光致发光激发谱中看到了掺碳引起的约3．38～2．67eV(367～465nn)范围内的特征激发带．利用CC曲线模型说明了特征激发带和黄带之间的关系，分析了黄带的可能起因．
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| 关 键 词： | 氢化物气相外延 氮化镓 光致发光谱 光致发光激发谱 黄带 GaN |
| 文章编号： | 1005-4642(2004)06-0019-04 |
| 修稿时间： | 2004年2月21日 |
Investigation of photoluminescence excitation spectra of yellow luminescence from GaN films grown by HVPE |
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| LU Dian qing ,HOU Yu juan ,LU Jin nan ,LIU Xue dong ,ZHANG Rong.Investigation of photoluminescence excitation spectra of yellow luminescence from GaN films grown by HVPE[J].Physics Experimentation,2004,24(6):19-22. |
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| Authors: | LU Dian qing HOU Yu juan LU Jin nan LIU Xue dong ZHANG Rong |
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| Institution: | LU Dian qing 1,HOU Yu juan 1,LU Jin nan 1,LIU Xue dong 1,ZHANG Rong 2 |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | hydride vapor phase epitaxy GaN photoluminescence spectrum photoluminescence excitation spectrum yellow luminescence |
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