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电注入退火条件对铸造单晶硅PERC电池抗LID效应影响的研究
引用本文:王泽辉,沈鸿烈,魏青竹,倪志春,李树兵,李跃,张树德.电注入退火条件对铸造单晶硅PERC电池抗LID效应影响的研究[J].半导体光电,2019,40(6):771-775, 780.
作者姓名:王泽辉  沈鸿烈  魏青竹  倪志春  李树兵  李跃  张树德
作者单位:南京航空航天大学材料科学与技术学院江苏省能量转换与技术重点实验室,南京 210016;苏州腾晖光伏科技有限公司研发部,江苏常熟 215542
基金项目:国家自然科学基金项目(61774084); 江苏省前瞻性联合研究项目(BY2016003-09);江苏省科技成果转化专项资金项目(BA2017032).
摘    要:铸造单晶硅太阳电池由于性价比高,在晶硅太阳能市场占有越来越重要的地位。文章以B和Ga共掺杂的铸造单晶硅钝化发射和背面(PERC)电池为研究对象,采用现有工业生产的电注入退火方法,分别进行了260和180℃温度下的不同电注入条件退火处理和随后的光致衰减(LID)效应分析。分析表明:经180℃的电注入退火处理,电池效率的变化率为-0.64%,经60kW·h的光照后,电池效率比退火前降低了2.79%。而经过260℃的电注入退火处理后,电池效率提高1.12%,且经60kW·h的光照后,电池效率比退火前仅下降1.96%。这些结果说明,260℃的电注入退火条件更适用于铸造单晶硅电池的抗LID处理。

关 键 词:PERC电池  LID效应  铸造单晶硅  电注入退火  电学性能
收稿时间:2019/5/30 0:00:00

Influence of Current Injection Annealing Condition on Anti-LID Effect of Casting Monocrystalline Silicon PERC Solar Cells
WANG Zehui,SHEN Honglie,WEI Qingzhu,NI Zhichun,LI Shubing,LI Yue and ZHANG Shude.Influence of Current Injection Annealing Condition on Anti-LID Effect of Casting Monocrystalline Silicon PERC Solar Cells[J].Semiconductor Optoelectronics,2019,40(6):771-775, 780.
Authors:WANG Zehui  SHEN Honglie  WEI Qingzhu  NI Zhichun  LI Shubing  LI Yue and ZHANG Shude
Institution:Jiangsu Key Lab.of Materials and Technol.for Energy Conversion, College of Materials Science & Technol., Nanjing University of Aeronautics & Astronautics, Nanjing 210016, CHN,Jiangsu Key Lab.of Materials and Technol.for Energy Conversion, College of Materials Science & Technol., Nanjing University of Aeronautics & Astronautics, Nanjing 210016, CHN,Research and Development Department, Suzhou Talesun Solar Technol.Co.Ltd., Changshu 215542, CHN,Research and Development Department, Suzhou Talesun Solar Technol.Co.Ltd., Changshu 215542, CHN,Jiangsu Key Lab.of Materials and Technol.for Energy Conversion, College of Materials Science & Technol., Nanjing University of Aeronautics & Astronautics, Nanjing 210016, CHN,Research and Development Department, Suzhou Talesun Solar Technol.Co.Ltd., Changshu 215542, CHN and Research and Development Department, Suzhou Talesun Solar Technol.Co.Ltd., Changshu 215542, CHN
Abstract:
Keywords:PERC solar cell  LID effect  cast monocrystalline silicon  current injection annealing  electrical property
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