| 热氧化GaN制备的β-Ga2O3基日盲紫外探测器 |
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| 引用本文： | 孟瑞林,姬小利,张勇辉,张紫辉,毕文刚,王军喜,魏同波.热氧化GaN制备的β-Ga2O3基日盲紫外探测器[J].半导体光电,2019,40(5):637-642. |
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| 作者姓名： | 孟瑞林 姬小利 张勇辉 张紫辉 毕文刚 王军喜 魏同波 |
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| 作者单位： | 河北工业大学电子信息工程学院,天津300401;中国科学院半导体研究所半导体照明研发中心,北京100083;中国科学院半导体研究所半导体照明研发中心,北京,100083;河北工业大学电子信息工程学院,天津,300401 |
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| 基金项目： | 国家重点研发计划项目(2016YFB0400200)；国家自然科学基金项目(61474109,61527814,61404134)；北京市自然科学基金项目(4182063). |
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| 摘 要： | 利用热氧化法将电化学腐蚀制备的多孔GaN薄膜氧化成三维孔隙状β-Ga2O3薄膜,分析了多孔GaN薄膜与传统GaN薄膜在氧化机理上的区别,并通过材料表征证明了多孔GaN薄膜能够实现更快的氧化速率。随后将氧化生成的β-Ga2O3薄膜制备成MSM型β-Ga2O3基日盲紫外探测器,在260nm光照及10V偏压下,器件的响应度为16.9A/W,外量子效率为8×103%,探测率D*达到了2.03×1014Jones,能够满足弱光信号的探测需求。此外,器件的瞬态响应具有非常好的稳定性,相应的上升时间为0.75s/4.56s,下降时间为0.37s/3.48s。
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| 关 键 词： | 热氧化 电化学腐蚀 β-Ga2O3 深紫外探测器 GaN |
| 收稿时间： | 2019/3/22 0:00:00 |
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