| 无制冷高速直调1.5 μm AlGaInAs-InP DFB激光器 |
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| 引用本文： | 蔡鹏飞,孙长征,熊兵,王健,罗毅.无制冷高速直调1.5 μm AlGaInAs-InP DFB激光器[J].光电子．激光,2007,18(6):666-668. |
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| 作者姓名： | 蔡鹏飞 孙长征 熊兵 王健 罗毅 |
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| 作者单位： | 清华大学电子工程系,集成光电子学国家重点实验室,北京,100084;清华大学电子工程系,集成光电子学国家重点实验室,北京,100084;清华大学电子工程系,集成光电子学国家重点实验室,北京,100084;清华大学电子工程系,集成光电子学国家重点实验室,北京,100084;清华大学电子工程系,集成光电子学国家重点实验室,北京,100084 |
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| 摘 要： | 利用AlGaInAs-InP应变多量子阱(MQW)材料导带偏移量大的特点,制作了基于AlGaInAs-InP材料的无制冷脊波导分布反馈式(DFB)激光器.为提高器件调制速度,制作了2 μm宽的脊波导结构,并在脊波导两侧填充1.5 μm厚的SiO2层,从而有效降低器件寄生电容.室温条件下,DFB激光器典型阈值为15 mA,特征温度达88 K,边模抑制比大于50 dB,3 dB小信号调制响应带宽超过15 GHz.
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| 关 键 词： | AlGaInAs-InP 分布反馈式(DFB)激光器 无制冷 直接调制带宽 |
| 文章编号： | 1005-0086（2007）06-0666-03 |
| 收稿时间： | 2006/7/26 0:00:00 |
| 修稿时间： | 2006-07-262006-10-26 |
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