| 单粒子瞬态脉冲宽度量化与自测试电路设计 |
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| 引用本文： | 向一鸣,蒋见花,戴睿,王雷. 单粒子瞬态脉冲宽度量化与自测试电路设计[J]. 微电子学与计算机, 2014, 0(10) |
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| 作者姓名： | 向一鸣 蒋见花 戴睿 王雷 |
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| 作者单位： | 中国科学院微电子研究所,北京,100029 |
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| 摘 要： | 为了研究组合逻辑中单粒子瞬态(Single-Event Transient,SET)的特性,采用片上测量技术提出了一套SET脉冲宽度测量方案.针对SET脉冲特性,设计了一种基于自主触发的脉冲测量电路,提出了一种用于自测试验证的脉冲激励电路.基于本所350nm SOI工艺,完成了一款集脉冲收集、测量、自测试于一体的SET重离子辐射测试芯片.通过仿真分析,验证了该方案的有效性.此方案为其他深亚微米工艺下SET研究提供了参考.
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| 关 键 词： | 单粒子瞬态(SET) 辐射效应 片内测试 SOI |
Test Circuit of Pulse Width Measurement and Self-Test for Single-Event Transient |
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| XIANG Yi-ming,JIANG Jian-hua,DAI Rui,WANG Lei. Test Circuit of Pulse Width Measurement and Self-Test for Single-Event Transient[J]. Microelectronics & Computer, 2014, 0(10) |
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| Authors: | XIANG Yi-ming JIANG Jian-hua DAI Rui WANG Lei |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Single-Event Transient (SET) Radiation Effect Built-in Testing Silicon-on-insulator (SOI) |
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