Electron diffraction study of melt-grown InSe crystals

Summary Electron diffraction has been performed on thin crystals of indium selenide, cleaved from ingots grown from stoichiometric and nonstoichiometric melt by the Bridgman-Stockbarger method. The analysis of the selected area diffraction patterns has shown the presence of two phases, whose lattice parameters have been calculated. The stacking sequence of the polytypes has been observed through the moiré patterns.

---

Riassunto è stata effettuata la diffrazione elettronica su cristalli di seleniuro di indio, clivati da lingotti cresciuti col metodo di Bridgman-Stoekbarger parterdo dagli elementi puri, presi sia in rapporto stechiometrico che in rapporti diversi. L’analisi delle figure di diffrazione ottenute in area selezionata ha permesso d’individuare la presenza di due politipi, i cui parametri reticolari sono stati calcolati. L’impilamento dei due politipi è stato osservato mediante le frange moiré.

---

Резюме Исследуется дифракция электронов на тонких кристалах InSe, выращенных из стехиометрического и нестехионетрического расплавов, с помощью метода Бридгмана-Стокбаргера. Анализ дифракдионных картин обнаруживаеет наличне двух фаз, для которых вычисляются параметры решетки. С помощью наблюдения муаровых полос исследуется поспедовательность группирования политипов.