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蓝宝石晶体的生长方向研究
引用本文:于旭东,孙广年. 蓝宝石晶体的生长方向研究[J]. 人工晶体学报, 2006, 35(2): 431-434
作者姓名:于旭东  孙广年
作者单位:浙江巨兴光学材料有限公司,衢州,324004;浙江巨兴光学材料有限公司,衢州,324004
摘    要:本实验采用提拉法,在中频感应加热单晶炉内,进行了不同生长方向蓝宝石晶体的生长工作,分别取[11-20]和[0001]生长的晶体c面(0001)的晶片.通过应力仪、显微观测和X射线衍射等方式对晶片的位错密度等微观缺陷以及晶体结构进行了检测.实验表明:不同的生长方向生长得到的蓝宝石晶体的质量存在一定的差别,一般情况下,[11-20]方向生长的蓝宝石晶体质量优于[0001]方向生长的晶体.

关 键 词:提拉法  生长方向  位错密度  衍射  晶体结构
文章编号:1000-985X(2006)02-0431-04
收稿时间:2005-06-15
修稿时间:2005-06-15

Study on the Growth Direction of Sapphire Single Crystal
YU Xu-dong,SUN Guang-nian. Study on the Growth Direction of Sapphire Single Crystal[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2006, 35(2): 431-434
Authors:YU Xu-dong  SUN Guang-nian
Affiliation:Zhejiang Juxing Optical Materials Company, Quzhou 324004,China
Abstract:A high quality sapphire with directions of[a-axis] and [0001][c-axis] was grown by CZ method.The dislocation density on the sliced c-plane(0001) for both growth directions was studied with X-ray diffraction.All tests indicate that the quality of as-grown crystal is better than that of c-grown crystal.
Keywords:CZ method  growth direction  dislocation density  diffraction  crystal structure
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