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| 硅功率管芯片背面金属化结构研究 | |
| 引用本文： | 毛大立,盛伯岭.硅功率管芯片背面金属化结构研究[J].电子工艺技术,1991(1):32-33. |
| 作者姓名： | 毛大立 盛伯岭 |
| 作者单位： | 上海交通大学材料科学系，上海交通大学材料科学系，上海无线电七厂 |
| 摘 要： | 本文分析了硅功率管管芯背面金属处理的结构设计原则,介绍了用多层金焊薄膜(Au/Ni/Cr)作为新的金属化处理方案及实际使用效果,以有助于国产管芯背面处理方案的改进 |
| 关 键 词： | 硅功率管 功率管 芯片 结构 金属化 |
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