| 一种全MOS低温漂电压基准源的研究 |
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| 引用本文： | 宋文青,于奇,冯纯益,张军,朱波,郑杰.一种全MOS低温漂电压基准源的研究[J].微电子学,2013,43(2):210-212,217. |
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| 作者姓名： | 宋文青 于奇 冯纯益 张军 朱波 郑杰 |
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| 作者单位： | 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都,610054 |
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| 基金项目： | 中央高校基本科研业务费专项资金资助项目 |
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| 摘 要： | 通过利用改进型低压Tracking-VGS结构的栅源电压差ΔVGS,对NMOS晶体管的阈值电压进行补偿,提出一种全MOS低温漂电压基准源结构,获得了电源抑制特性较好的低温漂基准电压。基于2.5V65nm标准CMOS工艺,对电路进行HSPICE仿真验证。结果显示:在-40℃～125℃温度范围内,基准电压为1.1V,温度系数为1.6×10-5/℃,电源抑制比为-51dB。
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| 关 键 词： | Tracking-VGS 温度补偿 NMOS栅源电压 电压基准源 |
A Full MOS Low Temperature Coefficient Voltage Reference Source |
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| SONG Wenqing,YU Qi,FENG Chunyi,ZHANG Jun,ZHU Bo,ZHENG Jie.A Full MOS Low Temperature Coefficient Voltage Reference Source[J].Microelectronics,2013,43(2):210-212,217. |
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| Authors: | SONG Wenqing YU Qi FENG Chunyi ZHANG Jun ZHU Bo ZHENG Jie |
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| Institution: | (State Key Lab.of Elec.Thin Films and Integr.Dev.,Univ.of Elec.Sci.& Technol.of China,Chengdu 610054,P.R.China) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | |
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