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| dVss/dt触发N阱CMOS器件闩锁失效的研究 | |
| 引用本文： | 殷万军,刘玉奎,刘利.dVss/dt触发N阱CMOS器件闩锁失效的研究[J].微电子学,2013,43(2). |
| 作者姓名： | 殷万军 刘玉奎 刘利 |
| 作者单位： | 1. 重庆邮电大学光电工程学院,重庆400065;模拟集成电路重点实验室,重庆400060 2. 中国电子科技集团公司第二十四研究所,重庆,400060 3. 重庆邮电大学光电工程学院,重庆,400065 |
| 摘 要： | 从半导体器件物理的角度分析了dVss/dt触发N阱CMOS器件的闩锁失效现象.当瞬时负电压脉冲峰值满足Vss-peak＜Vss0(导通临界值约为-0.8 V)时,CMOS器件发生闩锁效应.dVss/dt外界触发作用消失后,为了达到稳定闩锁效应状态,存储在寄生PNPN结构中耗尽电容的电荷量Qc要大于Qc0(临界值),需要足够的脉冲宽度和较小的晶体管渡越时间.Silvaco瞬态仿真验证表明,该研究结果可用于改善CMOS集成电路的可靠性设计. |
| 关 键 词： | CMOS器件 闩锁效应 dVss/出触发 寄生可控硅模型 瞬态仿真 |
Study on dVss/dt Triggered Latch-Up Effect of N-Well CMOS Device |
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| YIN Wanjun,LIU Yukui,LIU Li.Study on dVss/dt Triggered Latch-Up Effect of N-Well CMOS Device[J].Microelectronics,2013,43(2). | |
| Authors: | YIN Wanjun LIU Yukui LIU Li |
| Abstract: | |
| Keywords: | |
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