| MOCVD激光诱导选择原子层外延(LALE)生长室的研究 |
| |
| 引用本文： | 罗风光,曹明翠.MOCVD激光诱导选择原子层外延(LALE)生长室的研究[J].光子学报,1996,25(4):319-321. |
| |
| 作者姓名： | 罗风光 曹明翠 |
| |
| 作者单位： | 华中理工大学激光技术国家重点实验室 武汉 430074 |
| |
| 摘 要： | 本文对MOCVD激光诱导选择原子层外延进行了研究,设计并制作了一种激光诱导原子层外延生长室结构,该系统能实现低温MOCVD生产,可形成稳定的层流,易于生长均匀的外延层,通过激光诱导可实现选择性的原子层外延.
|
| 关 键 词： | MOCVD 激光诱导 选择原子层外延 |
| 收稿时间： | 1995-02-16 |
RESEARCH OF MOCVD LASER-ASSISTED ELECT ATOMIC LAYER EPITAXY REACTOR |
| |
| Luo Fengguang,Cao Mingcui,Li Hongpu,Wan Anjun,Xu Jun,Li Zaiguang.RESEARCH OF MOCVD LASER-ASSISTED ELECT ATOMIC LAYER EPITAXY REACTOR[J].Acta Photonica Sinica,1996,25(4):319-321. |
| |
| Authors: | Luo Fengguang Cao Mingcui Li Hongpu Wan Anjun Xu Jun Li Zaiguang |
| |
| Institution: | The National Laboratory on Laser Technology, Huazhong University of Science and Technology, Wuhan 430074 |
| |
| Abstract: | MOCVD laser-assisted elect atomic layer epitaxy is studied in this paper.A kind of construction of the reactor for laser-assissed atomic layer epitaxy is designed and fabricated.MOCVD epitaxy layer with uniform and lower temperature can be performed.Elect atomic layer epitaxy with laser-assisted can be realized. |
| |
| Keywords: | MOCVD Laser-assisted Elect atomic layer epitaxy |
| 本文献已被 维普 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《光子学报》浏览原始摘要信息 |
| 点击此处可从《光子学报》下载免费的PDF全文 |
