| 超细氧化硅纳米线阵列的制备和发光特性 |
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| 引用本文： | 朱彦武,陈喜红,陈耀锋,徐军,张洪洲,冯孙齐,俞大鹏,张国义.超细氧化硅纳米线阵列的制备和发光特性[J].发光学报,2004,25(2):173-177. |
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| 作者姓名： | 朱彦武 陈喜红 陈耀锋 徐军 张洪洲 冯孙齐 俞大鹏 张国义 |
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| 作者单位： | 北京大学物理学院,介观物理国家重点实验室,电子显微镜实验室,北京100871;北京大学物,理学院,宽禁带半导体研究中心,北京,100871 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金重点项目，国家杰出青年科学基金，教育部博士点专项基金(50025206,19834080) |
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| 摘 要： | 以液态金属Ca作为催化剂合成了大量的非晶SiO2纳米线阵列。这些纳米线具有高度取向性，直径分布均匀，平均约8nm，长度大于300μm。研究发现，载气的湿度对非晶SiO2纳米线阵列的生长有重大影响，提出了一种可能的生长模型，以解释这一与传统的VLS机制不同的生长过程。对样品的光致荧光(PL)谱的测量表明，非晶SiO2纳米线阵列在蓝光波段附近存在两个很强且稳定的发射峰，它们直接与样品中的缺陷和空位有关。首次发现了一个稳定的PL峰，存在于红外波段，作为光源，非晶SiO2纳米线阵列可能会在纳米光电子器件中得到应用。由于SiO2是传统的光纤材料，单根SiO2纳米线也有希望应用于近场光学扫描显微镜(SNOM)之中。
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| 关 键 词： | 非晶SiO2 纳米线阵列 光致荧光 |
| 文章编号： | 1000-7032(2004)02-0173-05 |
| 修稿时间： | 2003年3月31日 |
Synthesis and Photoluminescence of Super Thin and Highly Oriented Silica Nanowires |
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| ZHU Yan-wu,CHEN Xi-hong,CHEN Yao-feng,XU Jun,ZHANG Hong-zhou,FENG Sun-qi,YU Da-peng,ZHANG Guo-yi State Key Laboratory for Mesoscopic Physics, Electron Microscopy Laboratory Research Center for Wide Gap Semiconductor,School of Physics,Peking University,Beijing ,China.Synthesis and Photoluminescence of Super Thin and Highly Oriented Silica Nanowires[J].Chinese Journal of Luminescence,2004,25(2):173-177. |
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| Authors: | ZHU Yan-wu CHEN Xi-hong CHEN Yao-feng XU Jun ZHANG Hong-zhou FENG Sun-qi YU Da-peng ZHANG Guo-yi State Key Laboratory for Mesoscopic Physics Electron Microscopy Laboratory Research Center for Wide Gap Semiconductor School of Physics Peking University Beijing China |
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| Institution: | ZHU Yan-wu,CHEN Xi-hong,CHEN Yao-feng,XU Jun,ZHANG Hong-zhou,FENG Sun-qi,YU Da-peng,ZHANG Guo-yi State Key Laboratory for Mesoscopic Physics, Electron Microscopy Laboratory Research Center for Wide Gap Semiconductor,School of Physics,Peking University,Beijing 100871,China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | silica nanowire array photoluminescence |
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