| 电荷自旋注入机制分离的新型稀磁半导体 |
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| 引用本文： | 邓正,赵侃,靳常青. 电荷自旋注入机制分离的新型稀磁半导体[J]. 物理, 2013, 0(10): 682-688 |
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| 作者姓名： | 邓正 赵侃 靳常青 |
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| 作者单位： | 中国科学院物理研究所 极端条件物理重点实验室 北京 100190 |
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| 基金项目： | 自然科学基金委员会和科技部 |
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| 摘 要： | 兼具电荷属性和自旋特性的稀磁半导体将有可能突破Moore定律的瓶颈。文章介绍了作者实验室近年来发现和研究的电荷自旋注入机制分离的新型稀磁半导体,目前这类新型稀磁半导体的铁磁转变温度可以与相比拟,并有望进一步实现室温铁磁。
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| 关 键 词： | 稀磁半导体 电荷自旋注入分离 |
New types of diluted magnetic semiconductors with decoupled charge and spin doping |
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| DENG Zheng , ZHAO Kan , JIN Chang-Qing. New types of diluted magnetic semiconductors with decoupled charge and spin doping[J]. Physics, 2013, 0(10): 682-688 |
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| Authors: | DENG Zheng ZHAO Kan JIN Chang-Qing |
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| Affiliation: | DENG Zheng;ZHAO Kan;JIN Chang-Qing;Key laboratory of extreme condition physics,Beijing National Laboratory for Condensed Matter Physics,and Institute of Physics,Chinese,Academy of Sciences; |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | diluted magnetic semiconductor decoupled charge and spin doping |
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