| SiGe HBT发射极台面湿法腐蚀技术研究 |
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| 引用本文： | 熊小义,刘志农,张伟,付玉霞,黄文韬,刘志弘,陈长春,窦维治,钱佩信.SiGe HBT发射极台面湿法腐蚀技术研究[J].微纳电子技术,2003,40(10):15-17. |
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| 作者姓名： | 熊小义 刘志农 张伟 付玉霞 黄文韬 刘志弘 陈长春 窦维治 钱佩信 |
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| 作者单位： | 清华大学微电子学研究所,北京,100084 |
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| 摘 要： | 在SiGeHBT的制造工艺中,为了防止干法刻蚀发射极台面对外基区表面造成损伤,从而导致SiGeHBT小电流下较大漏电问题,对SiGeHBT发射极台面的湿法腐蚀技术进行了研究。通过改变超声功率、腐蚀液温度,从中获得了较为理想的腐蚀条件。
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| 关 键 词： | 湿法腐蚀 SiGe 异质结双极晶体管 超高真空低压化学汽相淀积 |
| 文章编号： | 1671-4776(2003)10-0015-02 |
| 修稿时间： | 2003年5月6日 |
Research on wet etching technique for SiGe HBT emitter mesa formation |
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| XIONG Xiao-yi,LIU Zhi-nong,ZHANG Wei,FU Yu-xia,HUANG Wen-tao,LIU Zhi-hong,CHEN Chang-chun,DOU Wei-zhi,QIAN Pei-xin.Research on wet etching technique for SiGe HBT emitter mesa formation[J].Micronanoelectronic Technology,2003,40(10):15-17. |
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| Authors: | XIONG Xiao-yi LIU Zhi-nong ZHANG Wei FU Yu-xia HUANG Wen-tao LIU Zhi-hong CHEN Chang-chun DOU Wei-zhi QIAN Pei-xin |
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| Abstract: | In the double-mesa SiGe HBT technology,extrinsic base surface would be damaged during emitter mesa formation with RIE.This would lead to high junction leakage current ,conse-quently degrading the characteristics of SiGe HBT.This paper investigates wet etching technique for SiGe HBT emitter mesa formation.By comparing different ultrasonic power and different solu-tion temperature,the suitable etching condition is obtained to improve SiGe HBT leakage current characteristics. |
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| Keywords: | wet etching SiGe HBT UHV/CVD |
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