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| 980nm高功率列阵半导体激光器 | |
| 作者姓名： | 曲轶 高欣 等 |
| 作者单位： | [1]吉林大学电子工程系，长春130023 [2]长春光学精密机械学院高功率半导体激光国家重点实验室，长春130022 |
| 摘 要： | 本文分析了影响列阵半导体激光器输出功率的因素。利用分子束外延生长方法生长出InGaAs/GaAs应变量子阱激光器材料。利用该材料制作的应变量子阱列阵半导体激光器准连续（100Hz,100μs）输出功率达到80W（室温），峰值波长为978－981nm。 |
| 关 键 词： | 分子束外延 列阵半导体激光器 应变量子阱 宽接触结构 输出功率 |
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