| 分子束外延生长InGaN/AlN量子点的组分研究 |
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| 引用本文： | 胡懿彬,郝智彪,胡健楠,钮浪,汪莱,罗毅. 分子束外延生长InGaN/AlN量子点的组分研究[J]. 物理学报, 2012, 0(23): 479-483 |
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| 作者姓名： | 胡懿彬 郝智彪 胡健楠 钮浪 汪莱 罗毅 |
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| 作者单位： | 清华信息科学与技术国家实验室(筹),清华大学电子工程系 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(批准号:61176015,61176059,60723002,60977022,51002085);国家重点基础研究发展计划(批准号:2011CB301902,2011CB301903);国家高技术研究发展计划(批准号:2011AA03A112,2011AA03A106,2011AA03A105)资助的课题~~ |
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| 摘 要： | 报道了分子束外延生长的绿光波段InGaN/AlN量子点材料,并综合考虑InGaN量子点的应变弛豫,以及应力和量子限制斯塔克效应对量子点发光波长的影响,提出了一种结合反射式高能电子衍射原位测量与光致荧光测量确定InGaN量子点组分的方法.
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| 关 键 词： | InGaN 量子点 反射式高能电子衍射 |
Studies on the composition of InGaN/AlN quantum dots grown by molecular beam epitaxy |
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| Hu Yi-Bin Hao Zhi-Biao Hu Jian-Nan Niu Lang Wang Lai Luo Yi. Studies on the composition of InGaN/AlN quantum dots grown by molecular beam epitaxy[J]. Acta Physica Sinica, 2012, 0(23): 479-483 |
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| Authors: | Hu Yi-Bin Hao Zhi-Biao Hu Jian-Nan Niu Lang Wang Lai Luo Yi |
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| Affiliation: | Hu Yi-Bin Hao Zhi-Biao Hu Jian-Nan Niu Lang Wang Lai Luo Yi (Tsinghua National Laboratory for Information Science and Technology Deptment of Electronic Engineering, Tsinghua University,Beijing 100084,China) |
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