| Si衬底上生长的MnSi薄膜和MnSi1．7纳米线的STM和XPS分析 |
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| 引用本文： | 石高明,邹志强,孙立民,李玮聪,刘晓勇.Si衬底上生长的MnSi薄膜和MnSi1．7纳米线的STM和XPS分析[J].物理学报,2012,61(22):401-407. |
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| 作者姓名： | 石高明 邹志强 孙立民 李玮聪 刘晓勇 |
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| 作者单位： | 1. 上海交通大学分析测试中心,上海200240 上海交通大学物理系,上海200240
2. 上海交通大学分析测试中心,上海,200240 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(批准号:61176017);上海市教育委员会科研创新项目(批准号:12ZZ025)资助的课题~~ |
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| 摘 要： | 本文采用分子束外延方法制备出MnSi薄膜和MnSi1．7纳米线，利用扫描隧道显微镜进行观察，采用X射线光电子能谱仪系统地分析了MnSi薄膜和MnSi1．7纳米线的Mn2p和Si2p．结果表明厚度为-0．9nm的MnSi薄膜表面为／3×／3重构，MnSi1．7纳米线长50ff--1500nm，宽16—18nm，高-3nm．MnSi薄膜的Mn2p1／2和Mn2p3／2峰位与MnSil．7纳米线相同，均分别为649．7eV和638．7ev结合能在640-645eV和-653．8eV处的锰氧化合物的Mn2ps／2和Mn2p1／2峰证明在短暂暴露于空气中后MnSi薄膜和MnSi1．7纳米线表面有氧化层形成．相对于纯si的si2p谱，两种锰硅化合物的Si2p谱向低结合能方向发生了位移，表明随着锰硅化合物的形成Si的化学环境发生了变化．
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| 关 键 词： | X射线光电子能谱 扫描隧道显微镜 纳米线 薄膜 |
Scanning tunneling mircroscopy and X-ray photoelectron spectroscopy studies of MnSi film and MnSi1.7 nanowires grown on Si substrates |
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| Shi Gao-Ming,Zou Zhi-Qiang,Sun Li-Min,Li Wei-Cong,Liu Xiao-Yong.Scanning tunneling mircroscopy and X-ray photoelectron spectroscopy studies of MnSi film and MnSi1.7 nanowires grown on Si substrates[J].Acta Physica Sinica,2012,61(22):401-407. |
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| Authors: | Shi Gao-Ming Zou Zhi-Qiang Sun Li-Min Li Wei-Cong Liu Xiao-Yong |
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| Institution: | 1)2)1) ( Instrumental Analysis Center, Shanghai Jiaotong University, Shanghai 200240, China ) 2) ( Department of Physics, Shanghai Jiaotong University, Shanghai 200240, China ) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) scanning tunneling microscopy (STM) nanowires film |
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