| F离子注入新型Al0．25Ga0．75N／GaNHEMT器件耐压分析 |
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| 引用本文： | 段宝兴,杨银堂,陈敬. F离子注入新型Al0．25Ga0．75N／GaNHEMT器件耐压分析[J]. 物理学报, 2012, 61(22): 408-414 |
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| 作者姓名： | 段宝兴 杨银堂 陈敬 |
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| 作者单位： | 1. 西安电子科技大学,微电子学院,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安710071
2. 香港科技大学电子与计算机工程系,香港 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金青年科学基金(批准号:61106076);国家自然科学基金重点项目(批准号:61234006)资助的课题~~ |
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| 摘 要： | 为了缓解AlGaN／GaNhighelectronmobilitytransistors（HEMT）器件n型GaN缓冲层高的泄漏电流，本文提出了具有氟离子注入新型Al0．25Ga0．75N／GaNHEMT器件新结构．首先分析得出n型GaN缓冲层没有受主型陷阱时，器件输出特性为欧姆特性，这样就从理论和仿真方面解释了文献生长GaN缓冲层掺杂Fe，Mg等离子的原因．利用器件输出特性分别分析了栅边缘有和没有低掺杂漏极时，氟离子分别注入源区、栅极区域和漏区的情况，得出当氟离子注入源区时，形成的受主型陷阱能有效俘获源极发射的电子而减小GaN缓冲层的泄漏电流，击穿电压达到262v通过减小GaN缓冲层体泄漏电流，提高器件击穿电压，设计具有一定输出功率新型A1GaN／GaNHEMT提供了科学依据．
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| 关 键 词： | AlGaN/GaN HEMT,氟离子 击穿电压 |
Breakdown voltage analysis for new Al0.25Ga0.75 N/GaN HEMT with F ion implantation |
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| Affiliation: | Duan Bao-Xing 1) Yang Yin-Tang 1) Kevin J. Chen 2) 1) ( Key Laboratory of the Ministry of Education for Wide Band-Gap Semiconductor Materials and Devices, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an 710071, China ) 2) ( Department of Electronic and Computer Engineering, Hong Kong University of Science and Technology, Clear Water Bay, Hong Kong, China ) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | AlGaN/GaN HEMT fluoride ion breakdown voltage |
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