| InSb面阵探测器法线方向力学参数选取研究 |
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| 引用本文： | 孟庆端,余倩,张立文,吕衍秋.InSb面阵探测器法线方向力学参数选取研究[J].物理学报,2012,61(22):334-338. |
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| 作者姓名： | 孟庆端 余倩 张立文 吕衍秋 |
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| 作者单位： | 1. 河南科技大学电子信息工程学院,洛阳,471003
2. 中国空空导弹研究院,洛阳,471009 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金青年科学基金(批准号:61107083);航空科学基金(批准号:20100142003);中国科学院力学研究所非线性力学国家重点实验室开放基金(批准号:2012007)资助的课题~~ |
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| 摘 要： | 为明确InSb芯片前表面结构缺陷和背面减薄工艺对InSb芯片变形的影响，本文采用降低InSb芯片法线方向杨氏模量的方式，基于热冲击下InSb芯片的典型形变特征来探索InSb芯片力学参数的选取依据．模拟结果表明：当InSb芯片法线方向杨氏模量取体材料的30％时，最大VonMises应力值和法线方向最大应变值均出现在N电极区域，且极值呈非连续分布，这与InSb焦平面探测器碎裂统计报告中典型裂纹起源于N电极区域及多条裂纹同时出现的结论相符合．此外，InSb芯片中铟柱上方区域向上凸起，台面结隔离槽区域往下凹陷，该形变分布也与典型碎裂照片中InSb芯片的应变分布保持一致．因此，基于InSb芯片法线方向应变的判据除了能够预测裂纹起源地及裂纹分布外，还能提供探测器阵列中心区域Z方向应变分布及N电极区域Z方向的应变增强效应，为InSb芯片力学参数的选取提供了依据．
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| 关 键 词： | 焦平面 锑化铟 结构应力 |
Mechanical parameters selection in InSb focal plane array detector normal direction |
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| Institution: | Meng Qing-Duan 1) Yu Qian 1) Zhang Li-Wen 1) L Yan-Qiu 2) 1) ( School of Electronic Information Engineering, Henan University of Science and Technology, Luoyang 471003, China ) 2) ( China Airborne Missile Academy, Luoyang 471009, China ) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | focal plane array InSb structural stress |
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