| GaN横向外延中晶面倾斜的形成机制 |
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| 作者姓名： | 冯淦 郑新和 朱建军 沈晓明 张宝顺 赵德刚 孙元平 张泽洪 王玉田 杨辉 梁骏吾 |
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| 作者单位： | (1)中国科学院半导体研究所, 集成光电子学国家重点联合实验室 ,北京 100083 ,中国 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(批准号: 69825107)、国家杰出青年基金和NSFC-RGC联合基金(批准号: 5001161953, N-HKU028/00)资助项目 |
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| 摘 要： | 采用双晶X射线衍射(DC-XRD)研究蓝宝石(0001)衬底上横向外延GaN层中晶面倾斜的形成原因. 发现横向生长区的GaN在垂直掩模方向上朝SiNx掩模层弯曲. 采用选择性腐蚀逐渐去掉SiNx掩模层, 发现XRD中GaN(0002)w扫描衍射峰两侧存在与晶面倾斜有关的衍射信息. 该衍射信息起初为一个很宽的峰, 随着选择性腐蚀的进行, 会先分裂为两个峰, 最后当SiNx掩模层全部腐蚀掉后, 其中一个衍射峰会消失, 而只剩下一个很窄的峰. 作者证实造成横向外延GaN 中晶面倾斜的原因有两个: 一是由于GaN与掩模层之间界面应力造成的弹性非均匀应变; 另一个是由于GaN中穿透位错的90°转向造成的塑性形变.
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| 关 键 词： | 横向外延生长 晶面倾斜 双晶X射线衍射 GaN |
| 收稿时间： | 2001-08-31 |
| 修稿时间： | 2001-08-31 |
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