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| 1.3μmInGaAsP半导体激光器晶格温升的研究 | |
| 引用本文： | 郝素君.1.3μmInGaAsP半导体激光器晶格温升的研究[J].上海交通大学学报,1997,31(5):81-84. |
| 作者姓名： | 郝素君 |
| 作者单位： | “区域光纤通信网与新型光通信系统”国家重点实验室，上海交通大学光纤技术研究所 |
| 摘 要： | 测量了１．３μｍＩｎＧａＡｓＰ半导体激光器自发发射光谱。利用脉冲工作条件下自发发射谱线的微小漂移，对激光器激光活区中晶格温升进行了测量分析，得到了晶格温升与热平衡时间的关系曲线。 |
| 关 键 词： | 半导体激光器 自发发射光谱 晶格温升 InGaAsP |
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