| 基于0.35 μm GeSi-BiCMOS工艺的1 GSPS采样保持电路 |
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| 引用本文： | 张俊安,王永禄,朱璨,张正平.基于0.35 μm GeSi-BiCMOS工艺的1 GSPS采样保持电路[J].微电子学,2010,40(1). |
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| 作者姓名： | 张俊安 王永禄 朱璨 张正平 |
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| 作者单位： | 模拟集成电路国家级重点实验室,中国电子科技集团公司,第二十四研究所,重庆,400060 |
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| 摘 要： | 介绍了一种基于0.35μmGeSi-BiCMOS工艺的1GSPS采样/保持电路。该电路采用全差分开环结构,使用局部反馈提高开环缓冲放大器的线性度;采用增益、失调数字校正电路补偿高频输入信号衰减和工艺匹配误差造成的失调。在1GS/s采样率、484.375MHz输入信号频率、3.3V电源电压下进行仿真。结果显示,电路的SFDR达到75.6dB,THD为-74.9dB,功耗87mW。将该采样/保持电路用于一个8位1GSPSA/D转换器。流片测试结果表明,在1GSPS采样率,240.123MHz和5.123MHz输入信号下,8位A/D转换器的SNR为41.39dB和43.19dB。
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| 关 键 词： | 采样/保持电路 A/D转换器 GeSi-BiCMOS |
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