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A dual-gate and dielectric-inserted lateral trench insulated gate bipolar transistor on a silicon-on-insulator substrate
Authors:
Fu Qiang
Zhang Bo
Luo Xiao-Rong
and Li Zhao-Ji
Institution:
State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu 610054, China
Abstract:
Keywords:
lateral trench insulated gate bipolar transistor
specific on-resistance
positive temperature coefficient
turnoff characteristic
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