| In:Ce:Cu:LiNbO3晶体的生长及存储性能研究 |
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| 引用本文： | 王军,徐悟生,王锐.In:Ce:Cu:LiNbO3晶体的生长及存储性能研究[J].人工晶体学报,2003,32(1):16-19. |
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| 作者姓名： | 王军 徐悟生 王锐 |
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| 作者单位： | 哈尔滨工业大学光电子技术研究所,哈尔滨,150001 |
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| 基金项目： | 973国家重大基础研究项目(No.G19990330)和国家863高技术计划(No.2001AA313040),黑龙江省自然科学基金(A01-03)资助项目 |
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| 摘 要： | 在Ce∶Cu∶LiNbO3晶体中掺进In2O3,用CZ法首次生长In∶Ce∶Cu∶LiNbO3晶体.对晶体的抗光折变能力、红外光谱、指数增益系数、衍射效率和响应时间进行了测试,结果表明:In(3mol;)∶Ce∶Cu∶LiNbO3晶体的抗光折变能力比Ce∶Cu∶LiNbO3提高两个数量级,其OH-吸收峰由LiNbO3的3484 cm-1移到3508 cm-1,响应速度比Ce∶Cu∶LiNbO3晶体快三倍.对In∶Ce∶Cu∶LiNbO3晶体抗光折变能力提高的机理、红外光谱OH-吸收峰紫移的机理进行了研究.
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| 关 键 词： | In∶Ce∶Cu∶LiNbO3晶体 存储性能 响应时间 晶体生长 |
| 文章编号： | 1000-985X(2003)01-0016-04 |
| 修稿时间： | 2002年5月20日 |
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