| 一种新的半导体材料和器件结构:COS |
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| 引用本文： | 阎志军,王迅. 一种新的半导体材料和器件结构:COS[J]. 物理, 2002, 31(11): 702-707 |
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| 作者姓名： | 阎志军 王迅 |
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| 作者单位： | 1. 兰州大学物理系,兰州,730000;复旦大学应用表面物理国家重点实验室,上海,200433
2. 复旦大学应用表面物理国家重点实验室,上海,200433 |
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| 摘 要： | 国际半导体技术发展进程表预期器件的特征尺寸不久将减小到0.1μm以下，SiO2作为MOS器件栅介质遇到不可克服的困难，人们在寻找新的栅介质材料时，提出一种新的结构，称为半导体上的晶态氧化物（COS），最近，COS被用作Si衬底上生长GaAs的过渡层，成为半导体材料和器件发展中一项新的突破，文章对这一结构的进展情况做一简要介绍。
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| 关 键 词： | 半导体材料 器件结构 COS 晶态氧化物 MOS晶体管 硅基集成 半导体器件 |
| 修稿时间： | 2002-03-06 |
CRYSTALLINE OXIDES ON SEMICONDUCTOR A NOVEL SEMICONDUCTOR MATERIAL AND DEVICE STRUCTURE |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | crystalline oxide MOS transistor Si|based integration new materials |
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