| 锰的硅化物薄膜在Si(100)-2×1表面生长的STM研究 |
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| 作者姓名： | 李玮聪 邹志强 王丹 石高明 |
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| 作者单位： | 上海交通大学分析测试中心, 上海 200240;上海交通大学分析测试中心, 上海 200240;上海交通大学物理系, 上海 200240;上海交通大学分析测试中心, 上海 200240;上海交通大学分析测试中心, 上海 200240;上海交通大学物理系, 上海 200240 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(批准号:61176017) 和上海市教育委员会科研创新项目(批准号:12ZZ025) 资助的课题. |
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| 摘 要： | 锰的硅化物在微电子器件、自旋电子学器件等领域具有良好的应用前景, 了解锰的硅化物薄膜在硅表面的生长规律是其走向实际应用的关键步骤之一. 本文采用分子束外延方法在Si(100)-2× 1表面沉积了约4个原子层的锰薄膜, 并利用超高真空扫描隧道显微镜研究了该薄膜与硅衬底之间在250-750℃范围内的固相反应情况. 室温下沉积在硅衬底表面的锰原子与衬底不发生反应, 薄膜由无序的锰团簇构成; 当退火温度高于290℃时, 锰原子与衬底开始发生反应, 生成外形不规则的枝晶状锰硅化物和富锰的三维小岛; 325℃时, 衬
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| 关 键 词： | 扫描隧道显微镜 锰的硅化物 固相反应 Ostwald熟化 |
| 收稿时间： | 2011-03-02 |
| 修稿时间： | 2011-06-03 |
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