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| 耐高压的电导率调制型MOSFET | |
| 引用本文： | 吴茂林.耐高压的电导率调制型MOSFET[J].电子技术,1987(8). |
| 作者姓名： | 吴茂林 |
| 摘 要： | 日本东芝综合研究所采用固相外延技术,研制成电导率调制型MOSFET(IGBT),其集电极-发射极间耐压高达1800V,集电极额定电流为10A.使用固相外延技术,能在比扩散法还短的时间内形成功率元件所必需的深结.新研制的IGBT用于交流电压500V的变换电路时,工作频率能提高到20kHz;集电极电流为10A和100A,断开时的下降时间分别为450ns和300ns.这个元件能断开150A的峰值电流. |
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