| Mg原子的嵌入对富勒烯C36的电子结构与传导特性的影响 |
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| 引用本文： | 霍新霞,张秀梅,王利光.Mg原子的嵌入对富勒烯C36的电子结构与传导特性的影响[J].原子与分子物理学报,2013,30(6):888-892. |
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| 作者姓名： | 霍新霞 张秀梅 王利光 |
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| 作者单位： | 江南大学理学院,江南大学理学院,江南大学理学院 |
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| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划（863计划）(2007AA04Z346)；南京大学固体微结构物理国家重点实验室项目M06008）；中央高校基本科研业务费专项资金资助项目（JUSRP31104）；“江苏省教育科学“十一五”规划课题（2008年度高教系统34）；江苏省高等教育学会“十一五”教育科学规划课题（JS053）；教育部基本科研业务费专项资金资助项目（2012年基本科研-青年基金） |
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| 摘 要： | 采用基于密度泛涵理论的第一性原理和非平衡格林函数方法研究了Mg原子的嵌入对于C36 分子的电子结构及传导特性的影响．结果显示Mg原子的嵌入明显改变了C36分子的负微分电阻效应，且大大增强了C36 分子的电子传输性能．
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| 关 键 词： | C36分子器件 负微分电阻效应 电子传输 伏安曲线 |
| 收稿时间： | 9/22/2012 2:44:41 PM |
Impact on the electronic structure and transmission |
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| Institution: | School of Science, Jiangnan University,, |
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| Abstract: | The DFT and the NEGF based on the first theory are used to study the impact on the electronic structure and the electronic transmission characteristics of the fullerene C36 by Mg atom inserted. The results show That Mg atom inserting not only changes the Negative Differential Resistance Effects (NDQE), but also improves the electronic transmission ability of C36 molecule. |
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| Keywords: | C36 molecule device Negative Differential Resistance Effects electronic transmission I-V curve |
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