| GaAlAs／GaAs多量子阶增益耦合型DFB激光器／电吸收型调制器单片光子集成器件 |
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| 引用本文： | 罗毅,蒲锐,孙长征,彭吉虎,平田隆昭,江口匡史,中野义昭,多日邦雄.GaAlAs／GaAs多量子阶增益耦合型DFB激光器／电吸收型调制器单片光子集成器件[J].半导体学报,1996,17(5):347-352. |
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| 作者姓名： | 罗毅 蒲锐 孙长征 彭吉虎 平田隆昭 江口匡史 中野义昭 多日邦雄 |
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| 作者单位： | 清华大学电子工程系集成光电子学国家重点联合实验室，横河电机株式会社光电子学研究所，东京大学工学部电子工学科东京都 |
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| 摘 要： | 我们在国际上率先提出将增益耦合型分布反馈式（ＧＣ－ＤＦＢ）半导体激光器作为激光器／调制器单片集成器件的光源．为了简化制作工艺，进一步提出激光器的有源层与调制器波导共用同一组分和同一结构．本文从理论上分析了该新型器件的可行性，优化设计了器件结构．在此基础上，采用金属有机化合物化学汽相外延技术（ＭＯＣＶＤ）在国际上首次研制成功了该种增益耦合型ＤＦＢ激光器／电吸收型调制器单片光子集成器件．器件阈值电流为３５ｍＡ，在—５Ｖ调制电压下消光比达５ｄＢ．静态调制过程中，激射波长与阈值没有变化．
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